Przeglądanie według Temat "semiconductors"

Aktualnie wyświetlane 1 - 1 z 1

Klastry i specjacje utlenionych związków półprzewodnikowych SnTe i PbTe oraz ich komponentów
(Uniwersytet Rzeszowski, 2020-10-28) Trzyna-Sowa, Małgorzata
Zrozumienie procesów zachodzących w skali nano pozwala dostarczyć cennych informacji o fundamentalnych właściwościach powierzchni materiałów. Zagadnienia związane zarówno z teorią klastrów, jak i ich praktycznym zastosowaniem stają coraz bardziej popularne dzięki ostatnim odkryciom m.in. nowej klasy materiałów półprzewodnikowych - izolatorów topologicznych. Przedmiotem niniejszej rozprawy doktorskiej jest analiza klastrów i specjacji molekularnej półprzewodników SnTe i PbTe i ich komponentów. W ramach pracy przeprowadzono badania powierzchni kryształów półprzewodnikowych SnTe i PbTe, telluru i selenu utlenianych różnymi metodami oraz metali: bizmutu, ołowiu i cyny. Realizacja głównych celów - przybliżenie problematyki tworzenia klastrów i specjacji w badanych materiałach - była możliwa dzięki zastosowaniu spektrometrii mas (TOF SIMS) oraz metod komplementarnych takich jak spektrometrii Ramana oraz Rentgenowskiej Spektrometrii Fotoelektronów AR XPS. Przeprowadzona analiza widm masowych powierzchni selenu i telluru w szerokim zakresie mas pozwoliła wnioskować o procesie tworzenia klastrów w tych materiałach przy oddziaływaniu z jonami wiązki pierwotnej. W przypadku badań klastrów w chalkogenkach implantowanych zwiększono limit detekcji, dzięki zastosowaniu metodyki analizy klastrów wysokich mas. Ponadto przedstawiono analizę specjacyjną wskazując formy występowania pierwiastków i tlenków. Wyznaczono stopień utlenienia badanych materiałów wykorzystując model Plog'a. Ustalono, że w utlenionym naturalnie SnTe powstaje wielowarstwowa struktura o głębokim niejednorodnym rozmieszczeniu składników. Głównymi składnikami tej struktury są SnO2 i tellur w trzech stanach chemicznych: elementarny Te, dwutlenek telluru TeO2 i kompleks telluru TeOx (0